ДОПИРОВАНИЕ МОНОКРИСТАЛЛОВ KDP КАК ЭФЕКТИВНЫЙ МЕТОД ИЗМЕНЕНИЯ ЕГО ФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ

dc.contributor.authorКафизов, С.Б.
dc.contributor.authorПоезжалов, В.М.
dc.date.accessioned2021-06-10T10:25:38Z
dc.date.available2021-06-10T10:25:38Z
dc.date.issued2021
dc.description.abstractРассмотрены изменения диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь, сравнение свойств изоморфного семейства чистых кристаллов KDPи кристаллов легированных различными примесями. Показано, что благодаря допированию кристаллов можно получать материалы с нужными свойствами, которые могут быть полезны в различных применениях, в частности в технике накопителей электричества. Или, добиваясь меньшего тангенса угла диэлектрических потерь, мы получаем меньшее рассеивание энергии на изоляционных материалах.en_US
dc.identifier.urihttps://dspace.kspi.kz/handle/123456789/3963
dc.language.isootheren_US
dc.publisherPublisher of Kostanay Regional University named after Akhmet Baitursynoven_US
dc.titleДОПИРОВАНИЕ МОНОКРИСТАЛЛОВ KDP КАК ЭФЕКТИВНЫЙ МЕТОД ИЗМЕНЕНИЯ ЕГО ФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВen_US
dc.typeArticleen_US

Файлдар

Түпнұсқа жинақ

Қазір көрсету 1 - 1 ішінен 1
Жүктеу...
Кішірейтілген сурет
Аты:
2021-konf-stud-magistr_108-111.pdf
Көлемі:
513.13 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Сипаттама:

Лицензиялық пакет

Қазір көрсету 1 - 1 ішінен 1
Жүктеу...
Кішірейтілген сурет
Аты:
license.txt
Көлемі:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Сипаттама: