ДОПИРОВАНИЕ МОНОКРИСТАЛЛОВ KDP КАК ЭФЕКТИВНЫЙ МЕТОД ИЗМЕНЕНИЯ ЕГО ФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ

Abstract

Рассмотрены изменения диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь, сравнение свойств изоморфного семейства чистых кристаллов KDPи кристаллов легированных различными примесями. Показано, что благодаря допированию кристаллов можно получать материалы с нужными свойствами, которые могут быть полезны в различных применениях, в частности в технике накопителей электричества. Или, добиваясь меньшего тангенса угла диэлектрических потерь, мы получаем меньшее рассеивание энергии на изоляционных материалах.